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M59DR008E120N6T	文件：267.87 Kbytes Page：37 Pages	8 Mbit 512Kb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory DESCRIPTION The M59DR008 is an 8 Mbit non-volatile Flash memory that may be erased electrically at block level and programmed in-system on a Word-by-Word basis using a 1.65V to 2.2V VDD supply for the circuitry. For Program and Erase operations the necessary high voltages are generated internally 文件：267.87 Kbytes 页数：37 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
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详细参数

型号：
M59DR008E120N6T
功能描述：
闪存 8M(512Kx16) 120ns
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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