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M59DR008E120N6T_ST/意法半导体_闪存 8M(512Kx16) 120ns华斯顿科技
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号:
M59DR008E120N6T
- 功能描述:
闪存 8M(512Kx16) 120ns
- RoHS:
否
- 制造商:
ON Semiconductor
- 数据总线宽度:
1 bit
- 存储类型:
Flash
- 存储容量:
2 MB
- 结构:
256 K x 8
- 接口类型:
SPI
- 电源电压-最大:
3.6 V
- 电源电压-最小:
2.3 V
- 最大工作电流:
15 mA
- 工作温度:
- 40 C to + 85 C
- 安装风格:
SMD/SMT
- 封装:
Reel
供应商
- 企业:
深圳市华斯顿科技有限公司
- 商铺:
- 联系人:
朱先生-余先生-夏小姐-张小姐
- 手机:
13925279453
- 询价:
- 电话:
0755-83777708/83777607/82799993
- 传真:
0755-83355559
- 地址:
深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼/市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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