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M3008316035NX0IBCR	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0IBCY	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0ITBR	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0ITBY	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0PBCR	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0PBCY	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0PTBR	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316035NX0PTBY	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316045NX	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
M3008316045NX0IBCR	文件：673.75 Kbytes Page：26 Pages	Parallel MRAM Memory x16 Features • Interface  Parallel Asynchronous x16 • Technology  40nm pMTJ STT-MRAM • Data Retention (see Table 16. Endurance and Data Retention Density)  4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb • Operating Voltage Range  VCC: 2.70V – 3.60V • Operating Temperature Range  Industrial: -40°C to 85°C  Ind 文件：673.75 Kbytes 页数：26 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS

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产品属性

产品编号：
M30
制造商：
Semtech Corporation
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
330mA
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
1.7pF @ 5V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
轴向
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP 3KV 330MA AXIAL

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