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M29W200BB70N6	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W200B is a 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same 文件：503.25 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N6	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP	Micron 美光	Micron
M29W200BB70N6	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.
M29W200BB70N6E	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W200B is a 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same 文件：503.25 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N6F	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W200B is a 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same 文件：503.25 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N6T	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W200B is a 2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same 文件：503.25 Kbytes 页数：22 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC FLASH 2M PARALLEL 48TSOP	Micron 美光	Micron
M29W200BB70N6E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP	Micron Technology Inc.	Micron Technology Inc.

产品属性

产品编号：
M29W200BB70N6
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
2Mb（256K x 8，128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP

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