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M29W200BB70N1	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W200Bisa2Mbit(256Kbx8or128Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesame	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司	Micron
M29W200BB70N1E	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W200Bisa2Mbit(256Kbx8or128Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesame	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N1F	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W200Bisa2Mbit(256Kbx8or128Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesame	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
M29W200BB70N1T	文件：503.25 Kbytes Page：22 Pages	2 Mbit (256Kb x8 or 128Kb x16, Boot Block) Low Voltage Single Supply Flash Memory SUMMARYDESCRIPTION TheM29W200Bisa2Mbit(256Kbx8or128Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(2.7to3.6V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesame	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
M29W200BB70N1
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
2Mb（256K x 8，128K x 16）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
48-TSOP
描述：
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多M29W200BB70N1供应商更新时间2024-5-21 16:02:00

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