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M29W160EB70ZA6	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB70ZA6	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB70ZA6E	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB70ZA6F	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB70ZA6T	文件：665.25 Kbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory SUMMARY DESCRIPTION The M29W160E is a 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16) non-volatile memory that can be read, erased and reprogrammed. These operations can be performed using a single low voltage (2.7 to 3.6V) supply. On power-up the memory defaults to its Read mode where it can be read in the same w 文件：665.25 Kbytes 页数：40 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
M29W160EB70ZA6E	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB70ZA6F	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB70ZA6T	文件：1.03193 Mbytes Page：40 Pages	16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory 文件：1.03193 Mbytes 页数：40 Pages	NUMONYX	NUMONYX
M29W160EB70ZA6E	文件：300 bytes Page：1 Pages	PARALLEL 16M X16 TFBGA	Micron 美光	Micron
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技术参数

Speed：
NSRMHz
MT/s：
NSRMTPS
I/O Voltage：
3.0 VOLTS
Operating Temp：
-40C to +85C
Bus Width：
x16
Pin Count：
48-ball
Part Status Code：
Obsolete
Component Config：
1M x16
Dry Pack Qty：
1122
Package Dimension (W x L x H) mm：
6.00 x 8.00 x 1.20
Number of Components：
1
Part Type：
COMPONENT
PLP：
YES
Package：
TFBGA
Family：
NOR FLASH
Technology：
PARALLEL

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	M29W160EB70ZA6	ST/意法	25+	BGA	32360	ST/意法全新特价M29W160EB70ZA6即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多M29W160EB70ZA6供应商更新时间2025-12-24 15:05:00

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