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M29W008AT120N6T	文件：218.01 Kbytes Page：30 Pages	8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory DESCRIPTION TheM29W008Aisanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-Bytebasisusingonlyasingle2.7Vto3.6VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thedev	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
M29W008AT120N6T TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP	ELPIDAElpida Memory 美光科技美光科技股份有限公司	ELPIDA

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M29W008AT120N6T

文件：218.01 Kbytes

Page：30 Pages

8 Mbit 1Mb x8, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory

DESCRIPTION TheM29W008Aisanon-volatilememorythatmaybeerasedelectricallyattheblockorchiplevelandprogrammedin-systemonaByte-by-Bytebasisusingonlyasingle2.7Vto3.6VVCCsupply.ForProgramandEraseoperationsthenecessaryhighvoltagesaregeneratedinternally.Thedev

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

STMICROELECTRONICS

M29W008AT120N6T TR

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：40-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT PARALLEL 40TSOP

ELPIDAElpida Memory

美光科技美光科技股份有限公司

ELPIDA

详细参数

型号：
M29W008AT120N6T
功能描述：
闪存 STD FLASH
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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