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M29F800DB70N1E	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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M29F800DB90M1E	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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M29F800DB90M6E	文件：332.85 Kbytes Page：39 Pages	8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory Summarydescription TheM29F800Disa8Mbit(1Mbx8or512Kbx16)non-volatilememorythatcanberead,erasedandreprogrammed.Theseoperationscanbeperformedusingasinglelowvoltage(5V)supply.Onpower-upthememorydefaultstoitsReadmodewhereitcanbereadinthesamewayasaRO	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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技术参数

存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
8Mb （1M x 8，512K x 16）
写周期时间 - 字，页：
70ns
访问时间：
70ns
存储器接口：
并联
电压 - 电源：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
44-SOIC（0.525\，13.34mm 宽）
供应商器件封装：
44-SO

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