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M25PE80-VMW6TG	文件：507.64 Kbytes Page：61 Pages	8 Mbit, low-voltage, Page-Erasable Serial Flash memory with Byte alterability, 50MHz SPI bus, standard pinout Description TheM25PE80isan8Mbit(1Mb×8)SerialPagedFlashmemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWrite orPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE80-VMW6TG	文件：1.38537 Mbytes Page：66 Pages	8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout Description TheM25PE80isan8-Mbit(1Mb×8)serialpagedflashmemoryaccessedbyahighspeed SPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthepagewriteor pageprograminstruction.Thepagewriteinstructionconsistsofanintegrated	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE80-VMW6TG TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 8MBIT SPI 75MHZ 8SO	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司
M25PE80-VMW6G	文件：507.64 Kbytes Page：61 Pages	8Mbit,low-voltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithBytealterability,50MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8Mbit(1Mb×8)SerialPagedFlashmemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWrite orPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE80-VMW6G	文件：1.38537 Mbytes Page：66 Pages	8-Mbit,page-erasableserialflashmemorywithbytealterability,75MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8-Mbit(1Mb×8)serialpagedflashmemoryaccessedbyahighspeed SPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthepagewriteor pageprograminstruction.Thepagewriteinstructionconsistsofanintegrated	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE80-VMW6P	文件：1.38537 Mbytes Page：66 Pages	8-Mbit,page-erasableserialflashmemorywithbytealterability,75MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8-Mbit(1Mb×8)serialpagedflashmemoryaccessedbyahighspeed SPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthepagewriteor pageprograminstruction.Thepagewriteinstructionconsistsofanintegrated	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE80-VMW6P	文件：507.64 Kbytes Page：61 Pages	8Mbit,low-voltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithBytealterability,50MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8Mbit(1Mb×8)SerialPagedFlashmemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWrite orPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE80-VMW6TP	文件：507.64 Kbytes Page：61 Pages	8Mbit,low-voltage,Page-ErasableSerialFlashmemorywithBytealterability,50MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8Mbit(1Mb×8)SerialPagedFlashmemoryaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWrite orPagePrograminstruction.ThePageWriteinstructionconsistsofanintegratedP	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE80-VMW6TP	文件：1.38537 Mbytes Page：66 Pages	8-Mbit,page-erasableserialflashmemorywithbytealterability,75MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE80isan8-Mbit(1Mb×8)serialpagedflashmemoryaccessedbyahighspeed SPI-compatiblebus. Thememorycanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthepagewriteor pageprograminstruction.Thepagewriteinstructionconsistsofanintegrated	NUMONYXNUMONYX 恒忆

详细参数

型号：
M25PE80-VMW6TG
功能描述：
闪存 SERIAL PAGE ERASE FLASH 8 Mbit Datas
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
数据总线宽度：
1 bit
存储类型：
Flash
存储容量：
2 MB
结构：
256 K x 8
接口类型：
SPI
电源电压-最大：
3.6 V
电源电压-最小：
2.3 V
最大工作电流：
15 mA
工作温度：
- 40 C to + 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装：
Reel

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