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M25PE10-VMN6P	文件：1.23015 Mbytes Page：64 Pages	1 and 2 Mbit, page-erasable serial Flash memories with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout Description TheM25PE20andM25PE10are2Mbit(256Kb×8bit)and1Mbit(128Kb×8bit)serialpagedFlashmemories,respectively.TheyareaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememoriescanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPageProgra	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE10-VMN6P	文件：482.96 Kbytes Page：60 Pages	1 and 2 Mbit, low voltage, Page-Erasable Serial Flash memories with Byte-Alterability, 50 MHz SPI bus, standard pinout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE10-VMN6P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO	MicronMicron Technology Inc. 镁光美国镁光科技有限公司
M25PE10-VMN6P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）存储器描述：1MB 8PIN SOIC NARROW SOP2-8 150	Alliance Memory Alliance Memory, Inc.
M25PE10-VMN6G	文件：482.96 Kbytes Page：60 Pages	1and2Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorieswithByte-Alterability,50MHzSPIbus,standardpinout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
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M25PE10-VMN6TG	文件：1.23015 Mbytes Page：64 Pages	1and2Mbit,page-erasableserialFlashmemorieswithbytealterability,75MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE20andM25PE10are2Mbit(256Kb×8bit)and1Mbit(128Kb×8bit)serialpagedFlashmemories,respectively.TheyareaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememoriescanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPageProgra	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE10-VMN6TG	文件：480.74 Kbytes Page：37 Pages	1and2Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemorieswithByte-Alterability,33MHzSPIBus,StandardPin-out Description TheM25PE20andM25PE10are2Mbit(256Kb×8bit)and1Mbit(128Kb×8bit)SerialPagedFlashmemories,respectively.TheyareaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememoriescanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWriteorPageProgra	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE10-VMN6TG	文件：482.96 Kbytes Page：60 Pages	1and2Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorieswithByte-Alterability,50MHzSPIbus,standardpinout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE10-VMN6TP	文件：482.96 Kbytes Page：60 Pages	1and2Mbit,lowvoltage,Page-ErasableSerialFlashmemorieswithByte-Alterability,50MHzSPIbus,standardpinout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
M25PE10-VMN6TP	文件：1.23015 Mbytes Page：64 Pages	1and2Mbit,page-erasableserialFlashmemorieswithbytealterability,75MHzSPIbus,standardpinout Description TheM25PE20andM25PE10are2Mbit(256Kb×8bit)and1Mbit(128Kb×8bit)serialpagedFlashmemories,respectively.TheyareaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememoriescanbewrittenorprogrammed1to256bytesatatime,usingthePageWriteorPageProgra	NUMONYXNUMONYX 恒忆
M25PE10-VMN6TP	文件：480.74 Kbytes Page：37 Pages	1and2Mbit,LowVoltage,Page-ErasableSerialFlashMemorieswithByte-Alterability,33MHzSPIBus,StandardPin-out Description TheM25PE20andM25PE10are2Mbit(256Kb×8bit)and1Mbit(128Kb×8bit)SerialPagedFlashmemories,respectively.TheyareaccessedbyahighspeedSPI-compatiblebus. Thememoriescanbewrittenorprogrammed1to256Bytesatatime,usingthePageWriteorPageProgra	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
M25PE10-VMN6P
制造商：
Micron Technology Inc.
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
管件
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
SPI
写周期时间 - 字，页：
15ms，3ms
电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SO
描述：
IC FLASH 1MBIT SPI 75MHZ 8SO

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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