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M1010NC450

快速恢复二极管 - 平板型

Littelfuse

力特

M121

QFN20

freescaleFreescale Semiconductor, Inc

飞思卡尔飞思卡尔半导体

上传:深圳市鑫洋微电子科技有限公司

M12A-17PMMP-SF8001

AMPHENOFCI

M12L128168A-6T

TOSP-5

ESMT(台湾晶豪)

上传:深圳市佳杰伟业科技有限公司

ESMT(台湾晶豪)

M12L128168A-6TG

TSOP-54

ESMTElite Semiconductor Memory Technology Inc.

晶豪科技晶豪科技股份有限公司

上传:深圳市富利微电子科技有限公司

技术参数

  • Package Type:

    W5

  • Maximum Repetitive Blocking Voltage [Diode] (V):

    4500

  • Average Continuous Current Rating @ TK = 55 ℃ [Diode] (A):

    1010

  • Maximum Surge Current - 10ms Half Sine Wave [Diode] (A):

    9600

  • I2t [Diode] (A2s):

    461 x 10³

  • Typical Reverse Recovery Time (µs):

    3.2

  • Reverse Recovery Charge (µC):

    1450

  • Threshold Voltage (V):

    1.7

  • Slope Resistance (mOhm):

    1.03

  • Thermal resistance [junction-heat sink] 180° Sine Wave (K/W):

    0.022

  • Sample Request:

    No

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更多M1010NC450供应商 更新时间2025-12-25 14:03:00