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LZ1418E100R	文件：66.77 Kbytes Page：12 Pages	NPN microwave power transistor DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorinaSOT443Ametalceramicflangepackagewiththeemitterconnectedtotheflange. FEATURES •Interdigitatedstructureprovideshighemitterefficiency •Diffusedemitterballastingresistorprovidesexcellentcurrentsharing	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
LZ1418E100R,114	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-443A；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2	AmpleonAmpleon USA Inc. 安谱隆	Ampleon

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LZ1418E100R

文件：66.77 Kbytes

Page：12 Pages

NPN microwave power transistor

DESCRIPTION NPNsiliconplanarepitaxialmicrowavepowertransistorinaSOT443Ametalceramicflangepackagewiththeemitterconnectedtotheflange. FEATURES •Interdigitatedstructureprovideshighemitterefficiency •Diffusedemitterballastingresistorprovidesexcellentcurrentsharing

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

LZ1418E100R,114

文件：100 bytes

Page：1 Pages

Package：SOT-443A；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2

AmpleonAmpleon USA Inc.

安谱隆

Ampleon

详细参数

型号：
LZ1418E100R
功能描述：
射频双极电源晶体管 NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR
RoHS：
否
制造商：
M/A-COM Technology Solutions
配置：
Single 直流集电极/Base Gain hfe
Min：
40
最大工作频率：
30 MHz 集电极—发射极最大电压
VCEO：
25 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
4 V
集电极连续电流：
20 A
功率耗散：
250 W
封装/箱体：
Case 211-11
封装：
Tray

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更多LZ1418E100R供应商更新时间2025-5-29 18:02:00

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