530 V, 3 A X-Series Diode

General Description This device is an extremely low reverse recovery 530 V silicon diode. Its recovery characteristics increase efficiency, reduce EMI and eliminate snubbers. Applications  High-voltage power rectifier  Power factor correction (PFC) boost diode  Motor drive circuits  D

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快速硅二极管，在EMI性能与开关速度之间实现平衡VRRM     - 600 VIF(AVG)   - 3 A - 20 AQRR       - 21 nC - 51 nC

Qspeed™二极管在所有硅二极管中具有最低的QRR值。其恢复特性能提高效率、降低EMI并省去缓冲电路。 特性\r\n·低QRR、低IRRM、低tRR\r\n·可实现高dIF/dt值(1000A/µs)\r\n·软恢复\r\n\r\n优势\r\n·提高效率\r\n·无需缓冲电路\r\n·缩减EMI滤波元件的尺寸和数目\r\n·实现极快速开关;

PI

Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），7 引线；包装：管件 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽），7 引线；包装：带盒（TB） 类别：分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述：DIODE GEN PURP 530V 3A 8SO

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