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LX5561	文件：187.11 Kbytes Page：8 Pages	InGaAs - E-Mode pHEMT Low Noise Amplifier DESCRIPTION TheLX5561isalownoiseamplifier(LNA)forWLANapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.ThisLNAismanufacturedwithanInGaAsEnhancementmodepseudomorphicHEMT(E-pHEMT)process. Itoperateswithasinglepositivevoltagesupplyof3.3V,withnoisefigureof1.5dBwhi	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5561LL	文件：187.11 Kbytes Page：8 Pages	InGaAs - E-Mode pHEMT Low Noise Amplifier DESCRIPTION TheLX5561isalownoiseamplifier(LNA)forWLANapplicationsinthe2.4-2.5GHzfrequencyrange.ThisLNAismanufacturedwithanInGaAsEnhancementmodepseudomorphicHEMT(E-pHEMT)process. Itoperateswithasinglepositivevoltagesupplyof3.3V,withnoisefigureof1.5dBwhi	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
LX5561LL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP 802.11B/G 2.4GHZ	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
LX5561LL-TR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：12-XFQFN 裸露焊盘；包装：盒类别：RF/IF，射频/中频和 RFID 射频放大器描述：IC RF AMP	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
MS5561C	文件：492.91 Kbytes Page：21 Pages	Highaccuracytemperaturemeasurement	TECTE Connectivity Ltd 泰科电子泰科电子有限公司	TEC
MS5561-C	文件：601.58 Kbytes Page：19 Pages	MICROALTIMETER	INTERSEMA Intersema Sensoric SA	INTERSEMA
NDL5561P	文件：75.42 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS30mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE DESCRIPTION NDL5531PSeriesisanInGaAsavalanchephotodiodemodulewithsinglemodefiber.Itisdesignedfordetectorsoflongwavelengthtransmissionsystems.Theseriescoversthewavelengthrangebetween1000and1600nm. FEATURES •SmalldarkcurrentID=5nA •Smallterminalcapaci	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5561P	文件：76.18 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsAVALANCHEPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5561P	文件：62.56 Kbytes Page：8 Pages	1000to1600nmOPTICALFIBERCOMMUNICATIONS50mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
NDL5561P	文件：68.5 Kbytes Page：8 Pages	1300nmOPTICALANALOGCATVSYSTEM80mmInGaAsPINPHOTODIODEMODULEWITHSMF SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
LX5561
制造商：
MICROSEMI
制造商全称：
Microsemi Corporation
功能描述：
InGaAs - E-Mode pHEMT Low Noise Amplifier

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