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PBSS4330PAS	文件：734.28 Kbytes Page：18 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistor,encapsulatedinanultrathinDFN2020D-3(SOT1061D)leadlesssmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithmediumpowercapabilityandvisibleandsoldarablesidepads. PNPcomplement:PBSS5330PAS Featu	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS4330X	文件：104.61 Kbytes Page：12 Pages	30V,3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT89plasticpackage. FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequiremen	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4330X	文件：421.09 Kbytes Page：13 Pages	NPNlowVCEsat(BISS)transistor FEATURES •SOT89(SC-62)package •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapability:ICandICM •Higherefficiencyleadingtolessheatgeneration •Reducedprinted-circuitboardrequirements. APPLICATIONS •Powermanagement –DC/DCconverters –Supplylines	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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