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PBSS4220PANS	文件：731.19 Kbytes Page：17 Pages	20V,2ANPN/NPNlowVCEsatBISSdoubletransistor Generaldescription NPN/NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)doubletransistorinaleadlessmediumpowerDFN2020D-6(SOT1118D)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. PNP/PNPcomplement:PBSS5220PAPS Featuresandbenefits •Verylowco	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS4220V	文件：299.66 Kbytes Page：14 Pages	20V,2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat Highcollectorcurrentcapability:ICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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更多LT4220CGN其他被动元件供应商更新时间2025-7-29 19:00:00

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