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LT100

L TERMINAL SHUNT RESISTORS

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

LT100

QC2.0/QC3.0快充USB专用充电端口控制器系列;

ETC

ETC

LT10000-S

Current Transducer LT 10000-S

CurrentTransducerLT10000-S Fortheelectronicmeasurementofcurrents:DC,AC,pulsed...,withagalvanicisolationbetweentheprimarycircuit(highpower)andthesecondarycircuit(electroniccircuit). Features •Closedloop(compensated)currenttransducerusingtheHalleffect •Insul

LEMlem

莱姆莱姆集团

LT1000-15W

Unmounted Laser Diode Chips

1.5WattsCW808,830and915nm TheseLT1000-1.5Wunmountedchipsareidealforadiversebaseofcustomers.Lasertel’spartneringspiritand“one-stopshopping”offerenduserswithin-housemountingandpackagingcapabilities–auniqueopportunitytodefineandmeettheirowncustomersp

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

LT1001

高精度运算放大器; • 保证的低失调电压\n• LT1001C            60μV (最大值)\n\n• LT1001AM         15μV (最大值)\n\n\n\n\n• 保证的低漂移\n• LT1001C        1.0μV/°C (最大值)\n\n• LT1001AM     0.6μV/°C (最大值)\n\n\n\n\n• 保证的低偏置电流\n• LT1001C            4nA (最大值)\n\n• LT1001AM         2nA (最大值)\n\n\n\n\n• 保证的 CMRR\n• LT1001C          110dB (最小值)\n\n• LT1001AM       114dB (最小值)\n\n\n\n\n• 保证的 PSRR\n• LT1001C          106dB (最小值)\n\n• LT1001AM       110dB (最小值)\n\n\n\n\n• 低功率耗散\n• LT1001C          80mW (最大值)\n\n• LT1001AM       75mW (最大值)\n\n\n\n\n• 低噪声 0.3μVP-P;

LT®1001 显著地推进了高精度运算放大器的尖端技术水平。在器件的设计、加工和测试过程中,对多项关键参数整体分布的优化给予了特殊的关注。因此,与同等级别的竞争高精度放大器相比,最低成本的商用温度等级器件 (LT1001C) 其规格指标取得了大幅度的改善。\n\n 基本上,所有组件的输入失调电压均低于 50μV (见分布曲线图)。这允许把 LT1001AM/883 规格在 15μV。LT1001C 的输入偏置和失调电流、共模及电源抑制所提供的保证性能指标在过去都是只有依靠昂贵和特定级别的其他器件才能达到。相比于最常用的高精度运放,该器件的功率耗散几乎减半,并且不会对噪声或速度性能造成不利的影响。功率耗散降低所产生的一个附带好处是温升漂移有所减小。另外,由于可在 10mA 的负载电流条件下保证电压增益,因此 LT1001 的输出驱动能力也得到了提升。如欲在双路高精度运放中实现相似的性能和保证的匹配指标,请查阅 LT1002 的相关信息。下面给出了一种铂电阻温度计应用。\n\nApplications 热电偶放大器 应变仪放大器 低电平信号处理 高准确度数据采集

ADIAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

LT1001A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR;

DESCRIPTION:\nThe ASILT1001Ais a High Frequency Transistor Designed for High Gain Low Noise CATV, and MATV Amplifier Applications.

ETC

ETC

LT1001A

NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR

DESCRIPTION: TheASILT1001AisaHighFrequencyTransistorDesignedforHighGainLowNoiseCATV,andMATVAmplifierApplications.

ASI

Advanced Semiconductor

LT1001CN8

Precision Operational Amplifier

DESCRIPTION TheLT®1001significantlyadvancesthestate-of-theartofprecisionoperationalamplifiers.Inthedesign,processing,andtestingofthedevice,particularattentionhasbeenpaidtotheoptimizationoftheentiredistributionofseveralkeyparameters.Consequently,thespecificati

LINEAR_DIMENSIONS

Linear Dimensions Semiconductor

LT1007X

±60V Fault Tolerant RS485/RS422 Transceiver with Operation to 175°C

FEATURES -GuaranteedOperationfrom–55°Cto175°C -FullyTestedat175°C -ProtectedfromOvervoltageLineFaultsto±60V -±52kVESDInterfacePins,±15kVAllOtherPins -Level4IEC61000-4-4ElectricalFastTransient -±25VWorkingCommonModeRange -20MbpsMaximumBaudRate -Opera

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

LT1009

2.5V Reference

DESCRIPTION TheLT®1009isaprecisiontrimmed2.5Vshuntregulatordiodefeaturingamaximuminitialtoleranceofonly±5mV.Thelowdynamicimpedanceandwideoperatingcurrentrangeenhancesitsversatility.The0.2referencetoleranceisachievedbyon-chiptrimmingwhichnotonlyminimizest

LINEAR

Linear Integrated Systems

技术参数

  • 测量类型:

    电流

  • 额定值:

    10000 A

  • 测量范围:

    15000 A

  • 副边输出信号:

    电流

  • 副边输出信号值:

    瞬时 1000 mA

  • 原边信号:

    AC + DC

  • 工作电压:

    外部供电 DC 双向

  • 工作电压范围:

    48 - 60 V

  • 精度:

    0.3 %

  • 工作温度:

    -25 °C /70 °C

  • 技术:

    闭环霍尔效应

  • 安装:

    盘式

  • 应用:

    驱动电源可再生能源焊接

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更多LT100供应商 更新时间2025-7-30 8:58:00