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LSIC1MO170E1000

SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·Low gate resistance forhigh-frequency switching ·Ultra-low on-resistance ·Normally-off operation atall temperatures ·Extremely low gatecharge and outputcapacitance APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·High-voltage Capacitive Loads ·Motor drives

文件:348.14 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

LSIC1MO170E1000

碳化硅MOSFET

• 专为高频、高效应用优化\n• 极低栅极电荷和输出电容\n• 低栅极电阻,适用于高频开关\n• 在各种温度条件下保持常闭状态\n• 超低导通电阻;

Littelfuse

力特

LSISAS2008

LSI
BGA

LSK170A/B

中性
SOT-23

中性

LSK170B/C

中性
TO-92

中性

技术参数

  • Typical On-Resistance (mOhm):

    750

  • Current Rating (A):

    3.5

  • Gate Charge (nC):

    15

  • Configuration:

    N-Channel

  • Driving Voltages (V):

    20/-5

  • Switching Energy (uJ):

    84

  • RoHS:

    Yes

  • TJ Max (°C):

    150

  • Sample Request:

    No

  • Replaced By Part Number:

    LSIC1MO170E0750

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更多LSIC1MO170E1000供应商 更新时间2025-10-12 15:01:00