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LSH65R1K5HT	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOS(场效应管)	Lonten 龙腾半导体	Lonten
IIPD65R1K5CE	文件：336.25 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.25 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R1K5CE	文件：260.76 Kbytes Page：2 Pages	Isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：260.76 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPA65R1K5CE	文件：890.05 Kbytes Page：14 Pages	650V CoolMOS??CE Power Transistor 文件：890.05 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：
3A(Tc)
栅源极阈值电压：
4.5V @ 250uA
漏源导通电阻：
1.5Ω @ 1.5A
最大功率耗散（Ta=25°C）：
30W(Tc)
类型：
N沟道

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更多LSH65R1K5HT供应商更新时间2025-11-4 15:01:00

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