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LSD65R380HT

高压超结VDMOS

Lonten

龙腾半导体

MMD65R380QRH

650V 0.38ohm N-channel MOSFET

文件:2.85431 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

MMD65R380QRH

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10.6A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 650V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.38Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC

文件:353.67 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

MMF65R380Q

650V 0.38ohm N-channel MOSFET

文件:1.26024 Mbytes 页数:10 Pages

MGCHIP

技术参数

  • Technology:

    Super Junction

  • VDS(V):

    650

  • ID(A):

    11

  • PD (W) 25℃:

    31.8

  • VGS(V):

    30

  • VGS(th)Typ(V):

    3.5

  • RDS(on)Typ(Ω):

    0.330

  • RDS(on)Max(Ω):

    0.380

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更多LSD65R380HT供应商 更新时间2025-11-7 15:01:00