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LSB60R280HT	文件：300 bytes Page：1 Pages	高压超结VDMOS	Lonten 龙腾半导体	Lonten
MMF60R280QTH	文件：1.16753 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.28ohm N-channel MOSFET 文件：1.16753 Mbytes 页数：10 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MMF60R280QTH	文件：323.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 13.8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.28Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC 文件：323.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SLF60R280SJ	文件：1.82232 Mbytes Page：8 Pages	600V N-Channel MOSFET 文件：1.82232 Mbytes 页数：8 Pages	MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd 美浦森半导体深圳市美浦森半导体有限公司	MAPLESMI

技术参数

Technology：
Super Junction
VDS(V)：
600
ID(A)：
15
PD (W) 25℃：
130
VGS(V)：
30
VGS(th)Typ(V)：
3.5
RDS(on)Typ(Ω)：
0.250
RDS(on)Max(Ω)：
0.280

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更多LSB60R280HT供应商更新时间2026-3-17 15:01:00

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