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LS5911-2

IMPROVED LOW NOISE WIDEBAND MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET

FEATURES Improved Replacement for SILICONIX, FAIRCHILD, & NATIONAL: 2N5911 & 2N5912 LOW NOISE (10kHz) en ~ 4nV/√Hz HIGH TRANSCONDUCTANCE (100MHz) gfs ≥ 4000µS

文件:337.86 Kbytes 页数:2 Pages

LINEAR

LS5911_15

IMPROVED LOW NOISE WIDEBAND MONOLITHIC DUAL N-CHANNEL JFET AMPLIFIER

文件:328.59 Kbytes 页数:3 Pages

LINEAR

LS5911 SOT-23 6L

Package:SOT-23-6;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - JFET 描述:WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Linear Integrated Systems, Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

LS5911 TO-71 6L

Package:TO-71-6 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - JFET 描述:WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Linear Integrated Systems, Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

LS5911 TO-78 6L

Package:TO-78-6 金属罐;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - JFET 描述:WIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC

Linear Integrated Systems, Inc.

Linear Integrated Systems, Inc.

技术参数

  • Maximum Power Dissipation:

    500mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    35V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    30V

  • Maximum Drain Gate Voltage:

    35V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    40mA

  • Configuration:

    Dual

  • Channel Type:

    N

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更多LS5911供应商 更新时间2025-11-18 16:01:00