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技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.3
GBW (Typ) (MHz)：
0.008
Features：
EMI Hardened
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.002
Rail-to-rail：
In to V-
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.000425
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
420
CMRR (Typ) (dB)：
98
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Output current (Typ) (mA)：
4.7
Architecture：
CMOS

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更多LPV812供应商更新时间2025-12-22 8:01:00

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