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LPV542DGKT	文件：1.00172 Mbytes Page：30 Pages	LPV542 Dual Nanopower 1.8 V, 490nA, RRIO CMOS Operational Amplifier 1 Features 1• Wide Supply Range: 1.6 V to 5.5 V • Low Supply Current: 490 nA (typical/channel) • Good Offset Voltage: 3 mV (maximum/room) • Good TcVos: 1μV/°C (typical) • Gain-Bandwidth: 8 kHz (typical) • Rail-to-Rail Input and Output pico• Unity-Gain Stable • Low Input Bias Current : 1 pA 文件：1.00172 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
LPV542DGKT.B	文件：1.00172 Mbytes Page：30 Pages	LPV542 Dual Nanopower 1.8 V, 490nA, RRIO CMOS Operational Amplifier 1 Features 1• Wide Supply Range: 1.6 V to 5.5 V • Low Supply Current: 490 nA (typical/channel) • Good Offset Voltage: 3 mV (maximum/room) • Good TcVos: 1μV/°C (typical) • Gain-Bandwidth: 8 kHz (typical) • Rail-to-Rail Input and Output pico• Unity-Gain Stable • Low Input Bias Current : 1 pA 文件：1.00172 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
LPV542DGKR	文件：1.40993 Mbytes Page：29 Pages	RRIO CMOS Operational Amplifier 文件：1.40993 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LPV542DGKT	文件：1.40993 Mbytes Page：29 Pages	RRIO CMOS Operational Amplifier 文件：1.40993 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LPV542DNXR	文件：1.40993 Mbytes Page：29 Pages	RRIO CMOS Operational Amplifier 文件：1.40993 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LPV542DNXT	文件：1.40993 Mbytes Page：29 Pages	RRIO CMOS Operational Amplifier 文件：1.40993 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In
GBW (Typ) (MHz)：
0.008
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.0037
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.00048
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
250
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
1
CMRR (Typ) (dB)：
101
Output current (Typ) (mA)：
30
Architecture：
CMOS

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