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MK5812	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812	文件：384.14 Kbytes Page：11 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Pb(lead)freepackage,RoHScompliant •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsprintersandflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputf	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLF	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MK5812SLFTR	文件：245.8 Kbytes Page：8 Pages	LOWEMICLOCKGENERATOR Features •Packagedin8-pinSOIC •Providesaspreadspectrumoutputclock •Supportsflatpanelcontrollers •Acceptsaclockorcrystalinput(providessame frequencyditheredoutput) •Inputfrequencyrangeof4to32MHz •Outputfrequencyrangeof8to64MHz •2Xfrequencymultiplic	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
MRF5812	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
MRF5812	文件：27.13 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFMICROWAVETRANSISTOR DESCRIPTION: TheASIMRF5812isDesignedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. FEATURES: •LowNoise–2.5dB@500MHz •Ftau–5.0GHz@10V,75mA •CostEffectiveSO-8package	ASI Advanced Semiconductor	ASI
MRF5812	文件：173.04 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MRF5812G	文件：125.09 Kbytes Page：5 Pages	RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS DESCRIPTION:Designedforhighcurrent,lowpower,lownoise,amplifiersupto1.0GHz. Features •LowNoise-2.5dB@500MHZ •AssociatedGain=15.5dB@500MHz •Ftau-5.0GHz@10v,75mA •CostEffectiveSO-8package	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
NTE5812	文件：15.21 Kbytes Page：1 Pages	6AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE
NTE5812	文件：19.79 Kbytes Page：1 Pages	NTE5812thruNTE58176AmpPlasticSiliconRectifier 6AmpPlasticSiliconRectifier Features: ●DiffusedJunction ●HighSurgeCapability ●CompletelyInsulatedCase ●UniformMoldedBody	NTE NTE Electronics	NTE

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