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LNTA4001NT1G	文件：218.81 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection 文件：218.81 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LNTA4001NT1G_15	文件：218.38 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：218.38 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LNTA4001NT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	小信号MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
NTA4001NT1	文件：61.02 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N?묬hannel, Gate ESD Protection, SC??5 MOSFET – Single, N-Channel, Gate ESD Protection, Small Signal, SC-75 20 V, 238 mA Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 x 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVA4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Application 文件：61.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1G	文件：61.02 Kbytes Page：6 Pages	Small Signal MOSFET 20 V, 238 mA, Single, N?묬hannel, Gate ESD Protection, SC??5 MOSFET – Single, N-Channel, Gate ESD Protection, Small Signal, SC-75 20 V, 238 mA Features • Low Gate Charge for Fast Switching • Small 1.6 x 1.6 mm Footprint • ESD Protected Gate • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable − NVA4001N • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant Application 文件：61.02 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTA4001NT1G	文件：137.98 Kbytes Page：5 Pages	Small Signal MOSFET 文件：137.98 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

VDSS (V)：
20
VGS(V)：
10
ID (A)：
0.238
VGSth Min (V)：
0.5
VGSth Max (V)：
1.5
td(on) (ns)：
13
td(off) (ns)：
98
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
3000
VGS/IDS (V)/(A)：
4.5/0.01
Package：
SC-89
Polarity：
N-Channel(with ESD)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	LNTA4001NT1G	LRC/乐山	25+	SC-89	40105	LRC/乐山全新特价LNTA4001NT1G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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更多LNTA4001NT1G供应商更新时间2025-10-8 14:14:00

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