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LND7N60D	文件：300 bytes Page：1 Pages	平面VDMOS	Lonten 龙腾半导体	Lonten
MDF7N60	文件：745.05 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7A, 1.15(ohm) 文件：745.05 Kbytes 页数：6 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N60BTH	文件：1.2947 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel MOSFET 600V, 7.0A, 1.15(ohm) 文件：1.2947 Mbytes 页数：8 Pages	MGCHIP	MGCHIP
MDF7N60BTH	文件：322.78 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current : ID= 7A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS= 600V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 1.15Ω(Max) @VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：322.78 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

技术参数

Technology：
Planar
VDS(V)：
600
ID(A)：
7
PD (W) 25℃：
39
VGS(V)：
30
VGS(th)Typ(V)：
3
RDS(on)Typ(Ω)：
1.000
RDS(on)Max(Ω)：
1.300

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LND7N60D供应商更新时间2025-10-30 15:01:00

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