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LNBTVS6-222S

Lightning protection for LNB power supply

文件:111.13 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVS6-222U

Lightning protection for LNB power supply

文件:111.13 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVS6-304S

Lightning protection for LNB power supply

文件:92.42 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVSX-22XX

Lightning protection for LNB power supply

文件:111.13 Kbytes 页数:9 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVSX-304

Lightning protection for LNB power supply

文件:92.42 Kbytes 页数:7 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVS3

Transil for low noise block protection

LNBTVS 系列设计用于保护卫星机顶盒上的LNB 电压调节器,免受IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883(方法3015)中规定的静电放电,并免受IEC 61000 - 4 - 4和5规定的电气过应力。该器件可以在整个消费温度范围内(高达85°C)抑制高达6 kV的浪涌。\n 器件使用平面工艺,适用于高端机顶盒,能够长期保持可靠性和稳定性。\n LNBTVS采用SMB或SMC封装(封装符合IPC 7531标准)。 • 峰值脉冲功率:\n• up to 3 kW (10/1000 μs)\n• up to 22.5 kW (8/20 μs)\n• 直流电压范围:23.1 V至30 V\n• 低钳位系数\n• 单向,具有低 VF(3 A时,VF= 1.2 V )\n• 低漏电流:25 °C为0.2 μA\n• 工作结温Tj max : 150 °C• 在Tj= 85 °C 、标准封装时,仍然符合IEC 61000 - 4 – 5标准\n• Tjmax时的高功率能力:\n• 1250 W (10/1000 μs)\n• JEDEC已注册的封装外形\n• 与LNBH电源和控制ICs兼容\n• 符合以下标准\n•;

ST

意法半导体

LNBTVS4

用于低噪声块保护的Transil

LNBTVS 系列设计用于保护卫星机顶盒上的LNB 电压调节器,免受IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883(方法3015)中规定的静电放电,并免受IEC 61000 - 4 - 4和5规定的电气过应力。该器件可以在整个消费温度范围内(高达85°C)抑制高达6 kV的浪涌。\n\n 器件使用平面工艺,适用于高端机顶盒,能够长期保持可靠性和稳定性。\n\n LNBTVS采用SMB或SMC封装(封装符合IPC 7531标准)。 • 峰值脉冲功率: \n•up to 3 kW (10/1000 μs) \n•up to 22.5 kW (8/20 μs) \n• 低钳位系数 \n• 低漏电流:25 °C为0.2 μA \n• 在Tj= 85 °C、标准封装时,仍然符合IEC 61000 - 4 – 5标准 \n•1250 W (10/1000 μs) \n• 与LNBH电源和控制ICs兼容 \n•IEC 61000-4-2 level 4:• 15 kV (air discharge)\n•IEC 61000-4-5 \n•MIL STD 883G, method 3015-7: class 3B:• 25 kV HB;

ST

意法半导体

LNBTVS6

用于低噪声块保护的Transil

LNBTVS 系列设计用于保护卫星机顶盒上的LNB 电压调节器,免受IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883(方法3015)中规定的静电放电,并免受IEC 61000 - 4 - 4和5规定的电气过应力。该器件可以在整个消费温度范围内(高达85°C)抑制高达6 kV的浪涌。\n\n 器件使用平面工艺,适用于高端机顶盒,能够长期保持可靠性和稳定性。\n\n LNBTVS采用SMB或SMC封装(封装符合IPC 7531标准)。 • 峰值脉冲功率: \n •up to 3 kW (10/1000 μs) \n •up to 22.5 kW (8/20 μs) \n• 击穿电压范围:23.1 V至30 V \n• 低钳位系数 \n• 单向,具有低VF(3 A时,VF= 1.2 V) \n• 低漏电流:25 °C为0.2 μA \n• 工作结温Tj max : 150 °C• 在Tj= 85 °C、标准封装时,仍然符合IEC 61000 - 4 – 5标准 \n• Tjmax时的高功率能力: \n •1250 W (10/1000 μs) \n• JEDEC已注册的封装外形 \n• 与LNBH电源和控制ICs兼容 \n•;

ST

意法半导体

LNBTVS3-220U

Package:DO-214AA,SMB;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 20VWM 35VC SMB

STMICROELECTRONICS

意法半导体

LNBTVS4-220

Package:DO-201AA,DO-27,轴向;包装:散装 类别:电路保护 TVS - 二极管 描述:TVS DIODE 20VWM 35VC DO201

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Marketing Status:

    NRND

  • Directionality:

    Uni-Directional

  • Number of protected lines_nom:

    1

  • Peak pulse current_max(IPP 8/20µs)(A):

    250

  • Junction Temperature_max(°C):

    150

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
ST
13+
SMC
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更多LNBTVS供应商 更新时间2025-12-24 11:22:00