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LN2605T1G	文件：590.35 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SN5；Package：SOT23-6；N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Low RDS(on) trench technology. 文件：590.35 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2605T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	低压功率MOSFET	LRC 乐山无线电	LRC
LN2608AR	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT26-6	NATLINEAR/南麟上传：深圳广友电子有限公司	NATLINEAR/南麟
LN3492P6MR-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	南麟上传：深圳市勇康微科技有限公司	南麟
LN3492P6MR-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT23-6	南麟上传：深圳市拓亿芯电子有限公司	南麟

技术参数

VDSS (V)：
60
VGS(V)：
20
ID (A) @TA：
5.2
VGSth Min (V)：
1
VGSth Max (V)：
3
td(on) (ns)：
9
td(off) (ns)：
45
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
35
VGS/IDS (V)/(A)：
10/5.2
Package：
SOT23-6
Polarity：
N-Channel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LN2605T1G供应商更新时间2025-12-12 9:31:00

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