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LN2308LT1G_15	文件：437.17 Kbytes Page：5 Pages	60V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：437.17 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2312LT1G	文件：695.55 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：695.55 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2312LT1G_15	文件：695.55 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：695.55 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2312LT3G	文件：695.55 Kbytes Page：5 Pages	20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：695.55 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2320EDT2AG	文件：843.39 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection 文件：843.39 Kbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2322EDT2AG	文件：659.22 Kbytes Page：6 Pages	丝印：2ED；Package：DFN2020-6S；N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection 文件：659.22 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2322LT1G	文件：564.75 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2ED；Package：SOT23(TO-236)；N-Channel 20V (D-S) MOSFET Low Gate Threshold Voltage 文件：564.75 Kbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2322LT3G	文件：564.75 Kbytes Page：3 Pages	丝印：2ED；Package：SOT23(TO-236)；N-Channel 20V (D-S) MOSFET Low Gate Threshold Voltage 文件：564.75 Kbytes 页数：3 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2323EDT2AG	文件：353.71 Kbytes Page：6 Pages	丝印：N7S；Package：DFN2020-6S；N-Channel 20V (D-S) MOSFET , ESD Protection 文件：353.71 Kbytes 页数：6 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
LN2324DT2AG	文件：1.14363 Mbytes Page：5 Pages	20V N-Channel (D-S) MOSFET 文件：1.14363 Mbytes 页数：5 Pages	LRC 乐山无线电	LRC

技术参数

VDSS (V)：
30
VGS(V)：
12
ID (A) @TA：
5.8
VGSth Min (V)：
0.7
VGSth Max (V)：
1.4
td(on) (ns)：
7
td(off) (ns)：
38
RDS（ON）Max @VGS/IDS (mΩ)：
38
VGS/IDS (V)/(A)：
10/5.8
Package：
SOT23E
Polarity：
N-Channel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	LN2306LT1G	LRC/乐山	25+	SOT-23	40099	LRC/乐山全新特价LN2306LT1G即刻询购立享优惠#长期有货	询价
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