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6362	文件：72.61 Kbytes Page：1 Pages	Component12X1PAIR	ALPHAWIREAlpha Wire 阿尔法电线	ALPHAWIRE
6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
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6362-M	文件：64.8 Kbytes Page：2 Pages	438PCBBarrierTerminalStrip,600V	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
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AN6362	文件：196.72 Kbytes Page：5 Pages	VTRCOLORAFCCIRCUIT	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
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AON6362	文件：238.07 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
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CED6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM6362	文件：423.28 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,6A,RDS(ON)=43mW@VGS=10V. RDS(ON)=49mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU6362	文件：436.45 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 60V,20.7A,RDS(ON)=45mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=52mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CHA6362-QXG	文件：1.05448 Mbytes Page：16 Pages	17.7-19.7GHzPowerAmplifier	UMSUnited Monolithic Semiconductors United Monolithic Semiconductors	UMS
DFD6362	文件：219.72 Kbytes Page：2 Pages	FullyAutomaticDicingSaw	DISCODISCO Corporation 迪斯科公司	DISCO
E6362	文件：1.16838 Mbytes Page：9 Pages	SBE®320/SBX®350ConnectorsUpto550Amps SBE®andSBX®connectorscanintegrateupto8auxiliarypower /signalcontactsalongwiththetwoprimarypowercircuits. Sequencingwithinauxiliarypositionsispossibleusingthe4pin lengthsavailableinthe1x4auxiliaryconnector.SBE®andSBX® offertouchsafehousings. •SilverPla	APP Anderson Power Products, Inc.	APP
EN6362QI	文件：1.70819 Mbytes Page：21 Pages	DC-DCBuckwithIntegratedInductor	AlteraAltera Corporation 阿尔特阿尔特拉公司	Altera
EPE6362G	文件：43.86 Kbytes Page：2 Pages	10Base-TInterfaceModulewithEnhancedCommonModeAttenuation	PCA PCA Electronics, Inc.	PCA
HL6362MG	文件：102.37 Kbytes Page：5 Pages	LowOperatingCurrentVisibleLaserDiode Description TheHL6362MG/63MGare0.63µmbandAlGaInPlaserdiodeswithamulti-quantumwell(MQW)structure.Theyare suitableaslightsourcesforlaserdisplay,laserscannersandopticalequipmentformeasurement. Features •Visiblelightoutput:640nmTyp •Singlelongitudinalmode	OPNEXTOpnext. Inc. Opnext. Inc.	OPNEXT
L6362	文件：197.02 Kbytes Page：4 Pages	FullyintegrateddevicetransceiverIC Description TheL6362isamonolithicdualpushpullTransceiverfullycomplianttoPHY2(3wires)supportingCOM1(4.8kbaud),COM2(38.4kbaud)andCOM3(230.4kbaud)modes.C/QandI/Qoutputstagesareprogrammable:high-side,low-sideorpush-pull;alsocut-offcurrentandcutoffcurrentd	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
L6362A	文件：1.22942 Mbytes Page：37 Pages	IO-LinkcommunicationtransceiverdeviceIC	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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