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LMV881LEXSLASHNOPB.A	文件：1.23707 Mbytes Page：26 Pages	LMV881 23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 1FEATURES 2• Unless Otherwise Noted, Typical Values at TA = 25°C, V+ = 3.3V • Supply Voltage 2.7V to 5.5V • Supply Current 1.65 mA • Shutdown Current 200 pA • Input Offset Voltage 1 mV Max • Input Bias Current 0.1 pA • GBW 23 MHz • EMIRR at 1.8 GHz 105 dB • Input Noise Voltage at 1 kHz 9 文件：1.23707 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV881_15	文件：1.13554 Mbytes Page：26 Pages	LMV881 23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 文件：1.13554 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV881_16	文件：1.17812 Mbytes Page：26 Pages	LMV881 23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 文件：1.17812 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV881LE	文件：377.51 Kbytes Page：19 Pages	23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 文件：377.51 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
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LMV881LEE	文件：377.51 Kbytes Page：19 Pages	23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 文件：377.51 Kbytes 页数：19 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV881LEE/NOPB	文件：1.17812 Mbytes Page：26 Pages	LMV881 23 MHz Low Power CMOS EMI Hardened Operational Amplifier with 1.8V Logic Shutdown 文件：1.17812 Mbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
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技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
23
Slew rate (Typ) (V/us)：
12
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1
Iq per channel (Typ) (mA)：
1.65
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
9
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.7
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
10
CMRR (Typ) (dB)：
94
Output current (Typ) (mA)：
110
Architecture：
CMOS

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