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LMV861	文件：789.53 Kbytes Page：26 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：789.53 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861	文件：1.41591 Mbytes Page：30 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.41591 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861	文件：1.04705 Mbytes Page：20 Pages	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.04705 Mbytes 页数：20 Pages	NSC 国半	NSC
LMV861	文件：300 bytes Page：1 Pages	Single, 5.5-V, 31-MHz, high output current (150-mA), low noise (8-nV/√Hz) operational amplifier TI’s LMV861 and LMV862 are CMOS input, low power op amp IC's, providing a low input bias current, a wide temperature range of −40°C to +125°C and exceptional performance making them robust general purpose parts. Additionally, the LMV861 and LMV862 are EMI hardened to minimize any interference so the Unless Otherwise Noted, Typical Values at TA = 25°C, V+ = 3.3V \n• Supply Voltage 2.7V to 5.5V\n• Supply Current (per Channel) 2.25 mA\n• Input Offset Voltage 1 mV Max\n• Input Bias Current 0.1 pA\n• GBW 30 MHz\n• EMIRR at 1.8 GHz 105 dB\n• Input Noise Voltage at 1 kHz 8 nV/√Hz\n• Slew Rate 18 V/µs\;	TI 德州仪器	TI
LMV861_13	文件：789.53 Kbytes Page：26 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：789.53 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861_15	文件：1.33339 Mbytes Page：29 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.33339 Mbytes 页数：29 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861MG	文件：1.04705 Mbytes Page：20 Pages	30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.04705 Mbytes 页数：20 Pages	NSC 国半	NSC
LMV861MG/NOPB	文件：1.41591 Mbytes Page：30 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.41591 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861MGE/NOPB	文件：1.41591 Mbytes Page：30 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.41591 Mbytes 页数：30 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV861MGENOPB	文件：789.53 Kbytes Page：26 Pages	LMV861/LMV862 30 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：789.53 Kbytes 页数：26 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
31
Slew rate (Typ) (V/us)：
20
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1
Iq per channel (Typ) (mA)：
2.47
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
8
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.7
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
10
CMRR (Typ) (dB)：
94
Output current (Typ) (mA)：
150
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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