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LMV842-Q1

汽车类、双路 CMOS 输入、RRIO、宽电源电压范围四路运算放大器

LMV84x-Q1 器件是低电压和低功耗运算放大器,在 2.7V 至 12V 电源电压范围内工作,具有轨至轨输入和输出功能。其低失调电压、低电源电流和 CMOS 输入特性使得它们非常适合高阻抗传感器接口和电池供电的 应用。\n\n单 LMV841-Q1 采用节省空间的 5 引脚 SC70 封装,双 LMV842-Q1 采用 8 引脚 VSSOP 和 8 引脚 SOIC 封装,而四 LMV844-Q1 采用 14 引脚 TSSOP 和 14 引脚 SOIC 封装。这些小型封装是空间受限型 PCB 和便携式电子产品的理想解决方案。 \n\nLMV841-Q1、LMV842-Q1 和 LMV844- • 具有符合 AEC-Q100 汽车认证测试指南的以下特性: \n• Device HBM ESD Classification Level 2\n• 除非另有说明,否则 TA = 25°C 时的典型值为 V+ = 5V。\n• 宽电源电压范围:2.7V 至 12V \n• 低电源电流:每通道 1mA\n• 开环增益:133dB\n• 输入偏置电流:0.3pA\n• 输入电压噪声:20nV/√Hz\n• 轨至轨输入和输出 (RRIO);

TI

德州仪器

LMV842-Q1

CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers

文件:1.56671 Mbytes 页数:38 Pages

TI

德州仪器

LMV844QMT

TI/德州仪器
TSSOP

TI/德州仪器

上传:深圳市大联智电子有限公司

TI/德州仪器

LMV931MF/NOPB

Texas Instruments
SOT-23-5

Texas Instruments

上传:深圳市壹芯创科技有限公司

Texas Instruments

LMV932MA

TI
SOIC

技术参数

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV):

    0.5

  • GBW (Typ) (MHz):

    4.5

  • Features:

  • Slew rate (Typ) (V/us):

    2.5

  • Rail-to-rail:

    In

  • Offset drift (Typ) (uV/C):

    0.35

  • Iq per channel (Typ) (mA):

    0.96

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz):

    20

  • CMRR (Typ) (dB):

    106

  • Rating:

    Automotive

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Input bias current (Max) (pA):

    10

  • Output current (Typ) (mA):

    33

  • Architecture:

    CMOS

  • THD + N @ 1 kHz (Typ) (%):

    0.003

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更多LMV842-Q1供应商 更新时间2025-10-5 9:01:00