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LMV841	文件：1.56671 Mbytes Page：38 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.56671 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV841	文件：1.72488 Mbytes Page：38 Pages	LMV84x CMOS Input, RRIO, Low Power, Wide Supply Range, 4.5-MHz Operational Amplifiers 文件：1.72488 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV841	文件：1.51644 Mbytes Page：37 Pages	LMV841/LMV841Q/LMV842/LMV842Q/LMV844/LMV844Q CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.51644 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV841	文件：1.16512 Mbytes Page：20 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.16512 Mbytes 页数：20 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV841	文件：1.2112 Mbytes Page：22 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.2112 Mbytes 页数：22 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV841	文件：300 bytes Page：1 Pages	单通道 CMOS 输入、RRIO、宽电源电压范围运算放大器 LMV84x 器件是低电压和低功耗运算放大器，在 2.7V 至 12V 电源电压范围内工作，具有轨至轨输入和输出功能。其低失调电压、低电源电流和 CMOS 输入特性使得它们非常适合高阻抗传感器接口和电池供电的应用。\n\n单 LMV841 采用节省空间的 5 引脚 SC70 封装，双 LMV842 采用 8 引脚 VSSOP 和 8 引脚 SOIC 封装，而四 LMV844 采用 14 引脚 TSSOP 和 14 引脚 SOIC 封装。这些小型封装是空间受限型 PCB 和便携式电子产品的理想解决方案。 • 除非另有说明，否则 TA = 25°C 时的典型值为 V+ = 5V。\n• 宽电源电压范围：2.7V 至 12V \n• 低电源电流：每通道 1mA\n• 开环增益：133dB\n• 输入偏置电流：0.3pA\n• 输入电压噪声：20nV/√Hz\n• 轨至轨输入和输出 (RRIO);	TI 德州仪器	TI
LMV841_0710	文件：1.16512 Mbytes Page：20 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.16512 Mbytes 页数：20 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV841_09	文件：1.2112 Mbytes Page：22 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.2112 Mbytes 页数：22 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV841_15	文件：1.56671 Mbytes Page：38 Pages	CMOS Input, RRIO, Wide Supply Range Operational Amplifiers 文件：1.56671 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV841_16	文件：1.72488 Mbytes Page：38 Pages	LMV84x CMOS Input, RRIO, Low Power, Wide Supply Range, 4.5-MHz Operational Amplifiers 文件：1.72488 Mbytes 页数：38 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.5
GBW (Typ) (MHz)：
4.5
Features：
Small Size
Slew rate (Typ) (V/us)：
2.5
Rail-to-rail：
In
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.35
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.96
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
20
CMRR (Typ) (dB)：
112
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Input bias current (Max) (pA)：
10
Output current (Typ) (mA)：
33
Architecture：
CMOS
THD + N @ 1 kHz (Typ) (%)：
0.003

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