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LMV834MTX

3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.04694 Mbytes 页数:20 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV834MTX

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.39112 Mbytes 页数:27 Pages

TI

德州仪器

LMV834MTX

Operational Amplifiers

文件:1.69624 Mbytes 页数:37 Pages

TI

德州仪器

LMV834MTX

3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers

文件:1.07316 Mbytes 页数:20 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

LMV834MTX/NOPB

Operational Amplifiers

文件:1.69624 Mbytes 页数:37 Pages

TI

德州仪器

LMV834MTXNOPB

LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened

文件:900.7 Kbytes 页数:25 Pages

TI

德州仪器

LMV834MTXSLASHNOPB

Operational Amplifiers

文件:1.69624 Mbytes 页数:37 Pages

TI

德州仪器

LMV834MTEVAL

包装:盒 类别:开发板,套件,编程器 评估板 - 运算放大器 描述:BOARD EVALUATION FOR LMV834

TI2

德州仪器

技术参数

  • Rail-to-rail:

    In to V-

  • GBW (Typ) (MHz):

    3.3

  • Slew rate (Typ) (V/us):

    2

  • Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV):

    1

  • Iq per channel (Typ) (mA):

    0.25

  • Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz):

    12

  • Rating:

    Catalog

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Offset drift (Typ) (uV/C):

    0.5

  • Features:

    EMI Hardened

  • Input bias current (Max) (pA):

    10

  • CMRR (Typ) (dB):

    93

  • Output current (Typ) (mA):

    64

  • Architecture:

    CMOS

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更多LMV834供应商 更新时间2025-10-5 17:06:00