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LMV832MME	文件：1.07316 Mbytes Page：20 Pages	3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.07316 Mbytes 页数：20 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV832MME/NOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	Operational Amplifiers 文件：1.69624 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMEOPB	文件：900.7 Kbytes Page：25 Pages	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened 文件：900.7 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMESLASHNOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	Operational Amplifiers 文件：1.69624 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMNOPB	文件：900.7 Kbytes Page：25 Pages	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened 文件：900.7 Kbytes 页数：25 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMSLASHNOPB	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	Operational Amplifiers 文件：1.69624 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMX	文件：1.69624 Mbytes Page：37 Pages	Operational Amplifiers 文件：1.69624 Mbytes 页数：37 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMX	文件：1.39112 Mbytes Page：27 Pages	LMV831 Single/ LMV832 Dual/ LMV834 Quad 3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.39112 Mbytes 页数：27 Pages	TI 德州仪器	TI
LMV832MMX	文件：1.04694 Mbytes Page：20 Pages	3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.04694 Mbytes 页数：20 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMV832MMX	文件：1.07316 Mbytes Page：20 Pages	3.3 MHz Low Power CMOS, EMI Hardened Operational Amplifiers 文件：1.07316 Mbytes 页数：20 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
3.3
Slew rate (Typ) (V/us)：
2
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
1
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.235
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
12
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 125
Offset drift (Typ) (uV/C)：
0.5
Features：
EMI Hardened
Input bias current (Max) (pA)：
10
CMRR (Typ) (dB)：
93
Output current (Typ) (mA)：
64
Architecture：
CMOS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多LMV832供应商更新时间2025-10-8 15:14:00

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