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MTP12N10L	文件：113.29 Kbytes Page：2 Pages	PowerFieldEffectTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
NTD12N10	文件：298.3 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.165Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NTD12N10	文件：77.77 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100VoltsN?묬hannelEnhancement?묺odeDPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD12N10	文件：148.34 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET12Amps,100Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD12N10G	文件：1.01012 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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PHD12N10E	文件：298.39 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=14A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.16Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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PHP12N10E	文件：72.09 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOStransistor GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodefield-effectpowertransistorinaplasticenvelope.ThedeviceisintendedforuseinSwitchedModePowerSupplies(SMPS),motorcontrol,welding,DC/DCandAC/DCconverters,andingeneralpurposeswitchingapplications.	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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