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ATA6612P-PLPW	文件：6.00245 Mbytes Page：364 Pages	MicrocontrollerwithLINTransceiver,5VRegulatorandWatchdog Description ATA6612/ATA6613isaSystem-in-Package(SiP)product,whichisparticularlysuitedforcompleteLIN-busslave-nodeapplications.Itsupportshighlyintegratedsolutionsforin-vehicleLINnetworks.ThefirstchipistheLIN-system-basis-chip(LIN-SBC)ATA6624,whichhasanintegrate	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
ATA6612P-PLQW	文件：6.00245 Mbytes Page：364 Pages	MicrocontrollerwithLINTransceiver,5VRegulatorandWatchdog Description ATA6612/ATA6613isaSystem-in-Package(SiP)product,whichisparticularlysuitedforcompleteLIN-busslave-nodeapplications.Itsupportshighlyintegratedsolutionsforin-vehicleLINnetworks.ThefirstchipistheLIN-system-basis-chip(LIN-SBC)ATA6624,whichhasanintegrate	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
CLS6612	文件：784.19 Kbytes Page：1 Pages	LoudSpeaker&NotebookSpeaker	CANOPUSCanopus Electronics (H.K.) Ltd. Canopus Electronics (H.K.) Ltd.	CANOPUS
CPH6612	文件：41.16 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelSiliconMOSFETGeneral-PurposeSwitchingDevice	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
ENN6612B	文件：38.12 Kbytes Page：5 Pages	ElectretCondenserMicrophoneApplications	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
FDD6612	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：226.16 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel,LogicLevel,PowerTrench??MOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelMOSFEThasbeendesignedspecificallytoimprovetheoverallefficiencyofDC/DCconvertersusingeithersynchronousorconventionalswitchingPWMcontrollers.Ithasbeenoptimizedforlowgatecharge,lowRDS(ON),fastswitchingspeedandextremelylowRDS(O	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：339.7 Kbytes Page：18 Pages	EVALUATIONKIT INTRODUCINGLX1710/1711AUDIOMAX ThankyouforyourinterestinthelatestgenerationofAudioMAXproducts.TheenclosedLXE1710evaluationboardisafullyfunctionalmonoamplifierdesignedtodemonstratethe“newandimproved”SwitchingClass-DPowerAmplifierICfromLinfinityMicrosemi.The	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
FDS6612A	文件：164.38 Kbytes Page：7 Pages	SingleN-Channel,Logic-Level,PowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：246.99 Kbytes Page：8 Pages	SingleN-Channel,LogicLevel,PowerTrenchTMMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizetheon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thesedevicesarewellsuitedforlowvoltageand	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDS6612A	文件：479.23 Kbytes Page：7 Pages	30VN-ChannelMOSFET Features Fastswitchingspeed Lowgatecharge Highperformancetrenchtechnologyforextremely lowRDS(ON) Highpowerandcurrenthandlingcapability (VGS=10V) VDS(V)=30V ID=8.4A RDS(ON)	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
FDS6612A-NL	文件：1.00896 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FDU6612A	文件：122.79 Kbytes Page：6 Pages	30VN-ChannelPowerTrenchMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF6612	文件：200.06 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheIRF6612combinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayoutgeo	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612PBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRF6612TRPBF	文件：249.53 Kbytes Page：10 Pages	RoHsCompliant Description TheIRF6612PbFcombinesthelatestHEXFET®PowerMOSFETSilicontechnologywiththeadvancedDirectFETTMpackagingtoachievetheloweston-stateresistanceinapackagethathasthefootprintofaSO-8andonly0.7mmprofile.TheDirectFETpackageiscompatiblewithexistinglayout	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
ISL6612	文件：601.58 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
ISL6612	文件：363.27 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverswithProtectionFeatures TheISL6612andISL6613arehighfrequencyMOSFET driversspecificallydesignedtodriveupperandlowerpower N-ChannelMOSFETsinasynchronousrectifiedbuck convertertopology.ThesedriverscombinedwithHIP63xxor ISL65xxMulti-PhaseBuckPWMcontrollersandN-Channel MOSFETsformcompl	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

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详细参数

型号：
LMH6612MAX
功能描述：
运算放大器 - 运放
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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更多LMH6612MAX供应商更新时间2024-5-30 11:13:00

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