LMG352xR030 650V 30mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1 Features • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver – Integrated high precision gate bias voltage – 200V/ns FET hold-off – 2MHz switching frequency – 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation – Operates from 7.5V to 18V supply • Robust

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丝印：LMG3527R030；Package：VQFN(RQS)；LMG352xR030 650V 30mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

1 Features • 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver – Integrated high precision gate bias voltage – 200V/ns FET hold-off – 2MHz switching frequency – 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation – Operates from 7.5V to 18V supply • Robust

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具有集成驱动器、保护和零电压检测功能的 650V 30mΩ GaN FET

LMG352xR030 GaN FET 具有集成式驱动器和保护功能，适用于开关模式电源转换器，能够让设计人员实现更高水平的功率密度与效率。\n\nLMG352xR030 集成了一个硅驱动器，可实现高达 150V/ns 的开关速度。与分立式硅栅极驱动器相比，TI 的集成式精密栅极偏置可实现更高的开关 SOA。这种集成特性与 TI 的低电感封装技术相结合，可在硬开关电源拓扑中提供干净的开关和超小的振铃。可调栅极驱动强度允许将压摆率控制在 20V/ns 至 150V/ns 之间，这可用于主动控制 EMI 并优化开关性能。LMG3526R030包含零电压检测（ZVD）功能，能够在实现零电压开关时提供 带集成栅极驱动器的 650V GaN-on-Si FET \n \n集成高精度栅极偏置电压\n \n200V/ns FET 释抑\n \n2MHz 开关频率\n \n20V/ns 至 150V/ns 压摆率，用于优化开关性能与缓解 EMI\n \n由 7.5V 至 18V 电源供电\n \n\n \n强大的保护 \n \n响应时间 ＜ 100ns 的逐周期过流与锁存短路保护\n \n硬开关时可承受 720V 浪涌\n \n针对内部过热和 UVLO 监控的自我保护\n \n\n \n高级电源管理 \n \n数字温度 PWM 输出\n \nLMG3526R030 包括有助于实现软开关转换器的零电压;

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