200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time

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适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器

LMG1210 是一款 200V 半桥 MOSFET 和氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 驱动器，专为要求超高频率、高效率的 应用 而开发， 具有 可调节死区时间功能、极短的传播延迟以及 3.4ns 高侧/低侧匹配，以优化系统效率。此部件还 具备 一个内部 LDO，可确保 5V 的栅极驱动器电压（而与电源电压无关）。 \n\n为了在各种应用中获得 最佳性能，LMG1210 允许设计人员选择最佳的自举二极管对高侧自举电容器充电。当低侧不导通时，内部开关会关闭自举二极管，以有效防止高侧自举过度充电，并将反向恢复电荷降至最低。GaN FET 上额外的寄生电容被最小化至小于 1pF，以减少额外的 • 工作频率高达 50MHz \n• 10ns 典型传播延迟\n• 3.4ns 高侧至低侧匹配\n• 4ns 最小脉宽\n• 两个控制输入选项 \n• 具有可调死区时间的单个 PWM 输入 \n• 独立输入模式\n \n• 1.5A 峰值拉电流和 3A 峰值灌电流 \n• 外部自举二极管可实现灵活性\n• 内部 LDO 可实现对电压轨的适应能力 \n• 高 300V/ns CMTI \n• HO 到 LO 的电容小于 1pF \n• UVLO 和过热保护\n• 低电感 WQFN 封装;

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200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time

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包装：散装 功能：栅极驱动器 类别：开发板，套件，编程器 评估和演示板及套件 描述：LMG1210EVM-012

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Package：19-WFQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR GAN MOSFET

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Package：19-WFQFN 裸露焊盘；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 19WQFN

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