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MBRD835	文件：754.62 Kbytes Page：4 Pages	MBRD835SCHOTTKYRECTIFIER Features 150℃TJoperation Centertapconfiguration Lowforwardvoltagedrop Highpurity,hightemperatureepoxyencapsulationfor enhancedmechanicalstrengthandmoistureresistance Highfrequencyoperation Guardringforenhancedruggednessandlongterm reliability “-A”isanAEC-Q101	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司	SMCDIODE
MBRD835L	文件：127.95 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHMODE??PowerRectifirersDPAKSurfaceMountPackage ThisSWITCHMODEpowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits.Thisstateoftheartd	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MBRD835L	文件：62.42 Kbytes Page：2 Pages	8ALOWVFSCHOTTKYBARRIERRECTIFIER Features •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •LowPowerLoss,HighEfficiency •HighSurgeCapability •VeryLowForwardVoltageDrop •ForUseinLowVoltage,HighFrequencyInverters,FreeWheeling,andPolarityProtectionApplications •PlasticMaterial:ULFlammabilit	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MBRD835L	文件：130.83 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •LowForwa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835L	文件：113.63 Kbytes Page：5 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835L	文件：179.47 Kbytes Page：12 Pages	100VCurrentModePWMController	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
MBRD835L	文件：215.07 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modePowerRectifierDPAKSurfaceMountPackage Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrier principlewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutput rectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitching powersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •Low	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MBRD835LG	文件：130.83 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODEPowerRectifier Thisswitch−modepowerrectifierwhichusestheSchottkyBarrierprinciplewithaproprietarybarriermetal,isdesignedforuseasoutputrectifiers,freewheeling,protectionandsteeringdiodesinswitchingpowersupplies,invertersandotherinductiveswitchingcircuits. Features •LowForwa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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详细参数

型号：
LMC835N/B+
功能描述：
Graphic Equalizer

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