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MBRF835CT	文件：248.59 Kbytes Page：3 Pages	8.0AMPS.IsolatedSchottkyBarrierRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MC835	文件：665.89 Kbytes Page：9 Pages	INTEGRATEDCIRCUITS INTEGRATEDCIRCUITSFROMMOTOROLA MDTLintegratedcircuitsprovideanexcellentbalanceofspeedpowerdissipation,andnoiseimmunityforgeneralpurposedigitalapplications.Thelineincludesmanymultifunctiontypes.AdditionallogicpowerisprovidedbythewiredORcapabilityofthebasicM	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MS835	文件：91.1 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●175°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●Vrrm30To45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MS835	文件：88.72 Kbytes Page：3 Pages	8AmpSchottkyBarrierRectifier20to100Volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MS835	文件：56.27 Kbytes Page：3 Pages	8Ampschottkybarrierrectifier20to100volts Features •LowSwitchingNoise •LowForwardVoltageDrop •HighCurrentCapability •HighSurgeCurrentCapability	CHENYIShanghai Lunsure Electronic Tech 商朗电子上海商朗电子科技有限公司	CHENYI
MSP835	文件：91.77 Kbytes Page：2 Pages	8AmpSchottkyRectifier 8AmpSchottkyRectifier ●SchottkyBarrierRectifier ●GuardRingProtection ●LowForwardVoltage ●150°CJunctionTemperature ●HighCurrentCapability ●VRRM35to45Volts	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
MUR835	文件：59.5 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MUR835	文件：56.6 Kbytes Page：2 Pages	GLASSPASSIVATEDSUPERFASTRECTIFIER FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Fastswitchingforhighefficiency •Lowforwardvoltagedrop •Singlerectifierconstruction •Highsurgecapability •Foruseinlowvoltage,highfrequencyinverters,freewheeling,andpolaritypro	JINGHENGJinan Jing Heng Electronics Co., Ltd. 晶恒济南晶恒电子有限责任公司	JINGHENG
MV835	文件：33.07 Kbytes Page：1 Pages	ABRUPTVARACTORDIODES ABRUPTVARACTORDIODES	KNOX Knox Semiconductor, Inc	KNOX
MZ835	文件：71.18 Kbytes Page：2 Pages	3WATTGLASSZENERDIODES FEATURES ●Microminiaturepackage. ●Voidlesshermeticallysealedglasspackage. ●Triplelayerpassivation. ●Metallurgicallybonded. ●Highperformancecharacteristics. ●Stableoperationattemperatureto200°C ●Verylowthermalimpedance.	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
LMC835N/B+
功能描述：
Graphic Equalizer

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市威尔健半导体有限公司	LMC835N其他被动元件	NS/国半	23+	DIP28	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	LMC835N其他被动元件	NS/国半		DIP28	125000	一级代理原装正品,价格优势,长期供应!	询价
深圳市星佑电子有限公司	LMC835V	NSC	05+	原厂原装	6696	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	LMC835V	NATIONAL	23+	PLCC	39215		询价
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更多LMC835N/B+供应商更新时间2025-7-26 9:18:00

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