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LMC662	文件：1.20737 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20737 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662	文件：430.61 Kbytes Page：13 Pages	CMOS Dual Operational Amplifier 文件：430.61 Kbytes 页数：13 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC662	文件：300 bytes Page：1 Pages	Dual, 15.5-V, 1.4-MHz, low-offset-drift operational amplifier The LMC662 CMOS Dual operational amplifier is ideal for operation from a single supply. It operates from +5V to +15V and features rail-to-rail output swing in addition to an input common-mode range that includes ground. Performance limitations that have plagued CMOS amplifiers in the past are not a • Rail-to-Rail Output Swing\n• Specified for 2 kΩ and 600Ω Loads\n• High Voltage Gain: 126 dB\n• Low Input Offset Voltage: 3 mV\n• Low Offset Voltage Drift: 1.3 μV/°C\n• Ultra Low Input Bias Current: 2 fA\n• Input Common-Mode Range Includes V−\n• Operating Range from +5V to +15V Supply\n• ISS = 400 ;	TI 德州仪器	TI
LMC662AIM	文件：430.61 Kbytes Page：13 Pages	CMOS Dual Operational Amplifier 文件：430.61 Kbytes 页数：13 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC662AIM	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662AIM/NOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662AIMSLASHNOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662AIMX	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662AIMX/NOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC662AIMXSLASHNOPB	文件：1.20729 Mbytes Page：23 Pages	LMC662 CMOS Dual Operational Amplifier 文件：1.20729 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI

技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
1.4
Slew rate (Typ) (V/us)：
1.1
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.38
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
22
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
0 to 70
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.3
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
4
CMRR (Typ) (dB)：
83
Output current (Typ) (mA)：
21
Architecture：
CMOS

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