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LMC660CMX/NOPB	文件：1.26807 Mbytes Page：22 Pages	LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.26807 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC660CMXSLASHNOPB	文件：1.26807 Mbytes Page：22 Pages	LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.26807 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC660CN	文件：1.26807 Mbytes Page：22 Pages	LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.26807 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC660CN	文件：461.8 Kbytes Page：14 Pages	CMOS Quad Operational Amplifier 文件：461.8 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC660CN	文件：873.56 Kbytes Page：14 Pages	CMOS Quad Operational Amplifier 文件：873.56 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC660CN	文件：441.79 Kbytes Page：12 Pages	CMOS Quad Operational Amplifier 文件：441.79 Kbytes 页数：12 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC660CN/NOPB	文件：1.26807 Mbytes Page：22 Pages	LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.26807 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC660CNSLASHNOPB	文件：1.26807 Mbytes Page：22 Pages	LMC660 CMOS Quad Operational Amplifier 文件：1.26807 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC660EM	文件：461.8 Kbytes Page：14 Pages	CMOS Quad Operational Amplifier 文件：461.8 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC660EN	文件：461.8 Kbytes Page：14 Pages	CMOS Quad Operational Amplifier 文件：461.8 Kbytes 页数：14 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

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技术参数

Rail-to-rail：
In to V-
GBW (Typ) (MHz)：
1.4
Slew rate (Typ) (V/us)：
1.1
Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
3
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.38
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
22
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Offset drift (Typ) (uV/C)：
1.3
Features：
—
Input bias current (Max) (pA)：
2
CMRR (Typ) (dB)：
83
Output current (Typ) (mA)：
21
Architecture：
CMOS

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更多LMC660供应商更新时间2025-10-4 13:44:00

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