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LMC6464AIMX	文件：648.7 Kbytes Page：18 Pages	Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：648.7 Kbytes 页数：18 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AIMX/NOPB	文件：1.69277 Mbytes Page：31 Pages	LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：1.69277 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC6464AIMXNOPB	文件：1.69788 Mbytes Page：32 Pages	LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS 文件：1.69788 Mbytes 页数：32 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AIMXSLASHNOPB	文件：1.69277 Mbytes Page：31 Pages	LMC6462 Dual/LMC6464 Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：1.69277 Mbytes 页数：31 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC6464AIN	文件：648.7 Kbytes Page：18 Pages	Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：648.7 Kbytes 页数：18 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AMJQML	文件：1.58472 Mbytes Page：23 Pages	LMC6464QML Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：1.58472 Mbytes 页数：23 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AMJ-QML	文件：648.7 Kbytes Page：18 Pages	Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：648.7 Kbytes 页数：18 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AMJ-QML	文件：1.16017 Mbytes Page：22 Pages	Quad Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：1.16017 Mbytes 页数：22 Pages	TI 德州仪器	TI
LMC6464AMN	文件：648.7 Kbytes Page：18 Pages	Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：648.7 Kbytes 页数：18 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6464AMWG-QML	文件：648.7 Kbytes Page：18 Pages	Micropower, Rail-to-Rail Input and Output CMOS Operational Amplifier 文件：648.7 Kbytes 页数：18 Pages	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC

技术参数

Vos (offset voltage @ 25 C) (Max) (mV)：
0.5
GBW (Typ) (MHz)：
0.05
Features：
—
Slew rate (Typ) (V/us)：
0.028
Rail-to-rail：
In
Offset drift (Typ) (uV/C)：
2
Iq per channel (Typ) (mA)：
0.02
Vn at 1 kHz (Typ) (nV/rtHz)：
80
CMRR (Typ) (dB)：
85
Rating：
Catalog
Operating temperature range (C)：
-40 to 85
Input bias current (Max) (pA)：
1.5
Output current (Typ) (mA)：
27
Architecture：
CMOS

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