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LMC6062IN	文件：321.95 Kbytes Page：12 Pages	Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMC6062IN	文件：1.17513 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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LMC6062IN	文件：1.17879 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
LMC6062IN/NOPB	文件：1.17665 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC6062INNOPB	文件：1.17879 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
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LMC6062IN-NOPB	文件：1.17513 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
LMC6062INSLASHNOPB	文件：1.17665 Mbytes Page：21 Pages	LMC6062 Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1

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技术参数

GBW(Typ)(MHz)：
1.3
Slew rate(Typ)(V/us)：
1.5
Rail-to-rail：
In to V-Out
Vos (offset voltage @ 25 C)(Max)(mV)：
0.35
Iq per channel(Typ)(mA)：
0.45
Vn at 1 kHz(Typ)(nV/rtHz)：
22
Rating：
Catalog
Operating temperature range(C)：
-40 to 85
Package Group：
PDIP
Package size：
mm2
Offset drift(Typ)(uV/C)：
2.5
Input bias current(Max)(pA)：
0.025
CMRR(Typ)(dB)：
83
Output current(Typ)(mA)：
21
Architecture：
CMOS

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更多LMC60供应商更新时间2025-7-29 11:47:00

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