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LMBT5551LT1G	文件：114.47 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5551LT1G	文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors RoHS requirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5551LT1G_11	文件：135.91 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors RoHS requirements.	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
LMBT5551LT1G_15	文件：172.09 Kbytes Page：5 Pages	High Voltage Transistors	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：153.2 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR HIGHVOLTAGETRANSISTOR ●CollectorDissipation:Pc-225mW(Ta=25°) ●Collector-EmillerVoltage:VCEO=160V	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMBT5551LT1	文件：199.8 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTransistors HighVoltageTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MMBT5551LT1	文件：165.54 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageTransistors(NPNSilicon) HighVoltageTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
MMBT5551LT1	文件：41.04 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheMMBT5551LT1isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	TGS Tiger Electronic Co.,Ltd	TGS
MMBT5551LT1	文件：38.95 Kbytes Page：1 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES Powerdissipation PCM:0.3W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:180V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	AVICTEK Avic Technology	AVICTEK

详细参数

型号：
LMBT5551LT1G
制造商：
LRC
制造商全称：
Leshan Radio Company
功能描述：
High Voltage Transistors

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市明嘉莱科技有限公司	LMBT5551LT1G	LRC/乐山	24+	SOT-23	157028	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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深圳市金华微盛电子有限公司	LMBT5551LT1G	LRC/乐山无线电	2019+	SOT-23	36000	原盒原包装可BOM配套	询价
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更多LMBT5551LT1G供应商更新时间2025-5-14 9:10:00

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