LMBT3904DW1T1G资料使用说明书原装现货第3页-114ic电子网

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MMBT3904	文件：207.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S:Fororientat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3904	文件：146.62 Kbytes Page：7 Pages	GeneralPurposeTransistorNPNSilicon GeneralPurposeTransistor NPNSilicon P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT3904	文件：98 Kbytes Page：3 Pages	GENERALPURPOSEAPPLIATION GENERALPURPOSEAPPLIATION ■FEATURES Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V CollectorDissipation:PD(MAX)=350mW *ComplementarytoUTCMMBT3906	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT3904	文件：100.83 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	NSCNational Semiconductor (TI) 美国国家半导体美国国家半导体公司	NSC
MMBT3904	文件：205.71 Kbytes Page：3 Pages	SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) SMDGeneralPurposeTransistor(NPN) Features •NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorfor SwitchingandAmplifierApplications •RoHScompliance	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
MMBT3904	文件：261.48 Kbytes Page：4 Pages	NPNSWITCHINGTRANSISTOR FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryPNPtypeavailable (MMBT3906). ●CollectorCurrentCapabilityICM=200mA. ●Collector-emitterVoltageVCEO=40V. APPLICATIONS ●Generalswitchingandamplification	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMBT3904	文件：110.58 Kbytes Page：4 Pages	NPNGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR FEATURES •NPNepitaxialsilicon,planardesign •Collector-emittervoltageVCE=40V •CollectorcurrentIC=200mA •Pbfreeproductareavailable:99SnabovecanmeetRohsenvironmentsubstancedirectiverequest	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
MMBT3904	文件：139.13 Kbytes Page：2 Pages	0.2WattsNPNPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES -Epitaxialplanardieconstruction -Surfacedevicetypemounting -Moisturesensitivitylevel1 -MatteTin(Sn)leadfinishwithNickel(Ni)underplate -PbfreeversionandRoHScompliant -PackingcodewithsuffixGmeansgreencompound(halogen-free)	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
MMBT3904	文件：362.25 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconGeneralPurposeTransistor NPNSiliconGeneralPurposeTransistor forswitchingandamplifierapplications. AscomplementarytypesthePNPtransistors MMBT3906isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
MMBT3904	文件：114.35 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

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技术参数

IC (mA)：
200
VCEO (V)：
40
hFE Min：
100
hFE @IC(mA)：
10
fT (Min)(MHz)：
300
td (ns)：
10
tr (ns)：
40
ts (ns)：
80
tf (ns)：
30
Package：
SC-88

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市明嘉莱科技有限公司	LMBT3904DW1T1G	LRC/乐山	24+	SOT363	157079	明嘉莱只做原装正品现货	询价
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