LM74930-Q1 Automotive Ideal Diode Surge Stopper With Circuit Breaker, Overvoltage Protection, and Fault Output

1 Features • AEC-Q100 qualified for automotive applications – Device temperature grade 1: –40°C to +125°C ambient operating temperature range • 4-V to 65-V input range • Reverse input protection down to –65 V • Drives external back-to-back N-Channel MOSFETs in common source configuration

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具有断路器和过压保护功能的汽车类 3V 至 65V 浪涌抑制器

LM74930-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟理想二极管整流器和电源路径开/关控制，并提供过流和过压保护功能。4 V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的高侧栅极控制 (HGATE) 可驱动电源路径中的第一个 MOSFET。该器件使用 HGATE 控制功能在发生过流、过压和欠压事件时允许负载断开（开/关控制），同时理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第二个 MOSFET 来代替肖特基二极管，从而通过阻止反向电流从输出端流到输 • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 \n• 4V 至 65V 输入范围\n• 在共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET\n• 低反向检测阈值 (-10.5mV)，具有快速 DGATE 关断响应 (0.5µs)\n• 2.6A 峰值 DGATE 关断电流\n• 精度为 10% 的模拟电流监视器输出 (IMON)\n• 2.5µA 低关断电流（EN = 低电平）\n• 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求\n• 采用节省空间的 24 引脚 VQFN 封装;

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